Isostatisk grafit med høj renhed til halvledere

Semixlab Isostatisk grafit af høj renhed anvendes på grund af sin høje renhed, fine kornstruktur, ensartede densitet, termiske stødmodstand og fremragende bearbejdelighed i vid udstrækning i halvlederindustrien. Nedenfor er de vigtigste færdige produkter og deres tilsvarende roller i kritiske processer:

Isostatisk grafit til halvlederapplikationer

1. I MOCVD (metalorganisk kemisk dampaflejring)

MOCVD er en kerneproces til fremstilling af epitaksiale lag af GaN, GaAs og SiC. Isostatisk grafit bruges almindeligvis til at fremstille:

● Susceptorer: Fungerer som waferbærere, der holder og roterer wafere inde i reaktoren. De giver ensartet varmeoverførsel og sikrer ensartet epitaksial vækst på tværs af waferoverfladen. Typisk belagt med CVD SiC eller TaC for at forbedre kemisk resistens og forlænge levetiden.

● Waferbærere / grafitbåde: Bruges til at indlæse flere wafere samtidigt. De kræver præcis bearbejdning for at opretholde waferens fladhed og undgå kontaminering.

● Varmeelementer: Grafitvarmere giver stabile og ensartede termiske felter, der er afgørende for epitaksi af høj kvalitet.

Nøglerolle: Isostatisk grafit sikrer temperaturensartethed, kemisk stabilitet og lang levetid, hvilket direkte påvirker den epitaksiale filmkvalitet.

2. I udglødnings- og diffusionsovne

Højtemperatur termiske behandlingstrin, såsom dopantdiffusion, oxidation og udglødning, er stærkt afhængige af isostatiske grafitkomponenter, herunder:

● Diffusionsovnsbåde: Holder wafere under højtemperaturglødning og dopantdiffusionsprocesser. Grafit giver fremragende termisk stabilitet og minimal deformation under gentagen termisk cykling.

● Foringer og isoleringskomponenter: Grafitforinger og -skjolde beskytter ovnkamre mod kontaminering og forbedrer temperaturensartetheden.

● Varmerør og -elementer: Bruges som modstandsvarmere i miljøer med høj temperatur og leverer præcis og ensartet varme.

Nøglerolle: Isostatiske grafitkomponenter muliggør kontamineringsfri, stabil og gentagelig varmebehandling, hvilket er afgørende for dopantaktivering og defektreduktion.

3. I SiC-epitaksi (4H-SiC, 6H-SiC-vækst)

Epitaksial vækst af SiC kræver ultrahøje temperaturer (>1500 °C) og korrosive gasmiljøer. Isostatisk grafit bruges til at fremstille:

● SiC-belagte susceptorer: Yder substratstøtte under SiC-epitaksi, hvilket sikrer fremragende varmefordeling og overfladestabilitet under ekstreme forhold.

● Grafitpadler og waferholdere: Sikrer wafere under rotation og gasstrøm, hvilket sikrer ensartet væksthastighed og lagtykkelse.

● Procesrørskomponenter: Strukturelle grafitdele i epitaksireaktorer modstår aggressive miljøer, samtidig med at renheden opretholdes.

Nøglerolle: Isostatisk grafit i SiC-epitaksi giver dimensionel præcision, kemisk resistens og pålidelig termisk styring, som direkte påvirker waferudbyttet og den epitaksiale filmensartethed.

Som en førende leverandør af isostatisk grafit med høj renhed i Kina er Semixlab forpligtet til at levere avancerede produkter og tekniske løsninger til halvlederforarbejdningsindustrien. Vi modtager gerne dine forespørgsler når som helst og håber oprigtigt at blive din langsigtede partner.